ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1200BR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N1200BR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N1200BR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N1200BR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1200BR | 1N1201A | 1N1200RB | 1N1200B |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1200 | - | - | 1N1200 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-203AA (DO-4) | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | - | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 150 V | 100 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1200BR PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N1200BR - Microchip Technology
1N1201AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 12A DO203AA1N1200RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1200Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
1N1200ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1201Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 12A DO41N1200BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1201Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที