ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2133A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N2133A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N2133A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N2133 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N2133A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2133A | 1N2133AR | 1N2133R | 1N2134 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 60 A | 1.1 V @ 60 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N2133 | 1N2133AR | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 25 µA @ 300 V | 25 µA @ 350 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | 60A | 70A | 70A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 300 V | 300 V | 350 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2133A PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N2133A - GeneSiC Semiconductor
1N2133ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 60A DO51N2133RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 70A DO51N2134Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 350V 70A DO5
1N2133RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 70A DO51N2134AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 350V 70A DO51N2133Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2133AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2132AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 250V 70A DO51N2132RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2133RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 70A DO51N2134ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 350V 70A DO51N2133ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2132ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 250V 70A DO51N2132RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2132RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2132RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2133RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 70A DO51N2133Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที