ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2133AR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N2133AR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N2133AR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N2133AR |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N2133AR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2133AR | 1N2133R | 1N2133A | 1N2134 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 60 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | 70A | 70A | 70A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 25 µA @ 300 V | 25 µA @ 300 V | 25 µA @ 350 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N2133AR | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 300 V | 300 V | 350 V |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2133AR PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N2133AR - GeneSiC Semiconductor
1N2133RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 70A DO51N2133AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2134Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 350V 70A DO51N2134AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 350V 70A DO5
1N2132RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2132RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2133RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 70A DO51N2134ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 350V 70A DO51N2133Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2133RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 70A DO51N2134Solid State Inc.DIODE GEN PURP 350V 70A DO5
1N2134ARMicrosemiIGBT Module1N2132RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2133ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 70A DO5
1N2133AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 60A DO51N2132RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2133Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2133RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที