ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2132R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N2132R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N2132R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 250 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 250 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N2132R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2132R | 1N2133A | 1N2131 | 1N2130RA |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 250 V | 25 µA @ 300 V | 25 µA @ 200 V | 25 µA @ 150 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | 70A | 70A | 70A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 250 V | 300 V | 200 V | 150 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
1N2133AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2131Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 70A DO51N2130RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 70A DO51N2132ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 250V 70A DO51N2131Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 70A DO51N2133ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2133RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 70A DO51N2132RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2132AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 250V 70A DO5
1N2133AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 60A DO51N2133ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 60A DO51N2131RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 70A DO51N2132RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2133Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2132Solid State Inc.DIODE GEN PURP 250V 70A DO51N2133Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 70A DO51N2132RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 250V 70A DO51N2133RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที