ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5834
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N5834 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N5834
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 590 mV @ 40 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 mA @ 10 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5834 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N5834
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5834 | 1N5832 | 1N5833 | 1N5833 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 590 mV @ 40 A | 520 mV @ 40 A | 550 mV @ 40 A | 550 mV @ 40 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 mA @ 10 V | 20 mA @ 20 V | 20 mA @ 10 V | 20 mA @ 30 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 40A | 40A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5834 | - | 1N5833 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5834 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N5834 - GeneSiC Semiconductor
1N5908onsemiTVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL
1N5914RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5908RL4GLittelfuse Inc.TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL1N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
1N5913BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5833GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5833Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5834Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO51N5913RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5908STMicroelectronicsTVS DIODE 5VWM 8.5VC CB4291N5908RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5831GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
1N5832Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
1N5907Microchip TechnologyTVS DIODE 5VWM 8.5VC DO131N5834Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5833Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5913BonsemiDIODE ZENER 3.3V 3W AXIAL1N5832GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที