ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5831
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N5831 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N5831
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 25 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5831 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N5831
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5831 | 1N5828 | 1N5829 | 1N5830 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | 15A | 25A | 25A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 25 A | 500 mV @ 15 A | 440 mV @ 25 A | 460 mV @ 25 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-5 | DO-4 | DO-4 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 1650pF @ 5V, 1MHz | 1650pF @ 5V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5831 | 1N5828 | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 20 V | 10 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 40 V | 20 V | 30 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5831 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N5831 - GeneSiC Semiconductor
1N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5829Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5830Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4
1N5832Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5830GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 25V 25A DO41N5834Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5831Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO203AA1N5833GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
1N5833Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5834Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO51N5832GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5831Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO41N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5833Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5834GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 40A DO51N5829GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5830Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที