ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5907
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5907 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5907
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 5V | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 8.5V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 6V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-13 | |
| ชุด | - | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-13 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 120A | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5907 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5907
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5907 | 1N5908 | 1N5908RL4G | 1N5908 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | onsemi | Littelfuse Inc. | STMicroelectronics |
| ชนิด | Zener | Zener | Zener | Zener |
| การป้องกันสายไฟ | No | No | No | No |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ชุด | - | Mosorb™ | Mosorb™ | TRANSIL™ |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 5V | 5V | 5V | 5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5907 | 1N5908 | 1N5908 | 1N5908 |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose | General Purpose | General Purpose | General Purpose |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-13 | Axial | Axial | CB429 |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | 1 | 1 | 1 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-13 | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | - | - | - |
| พลังงาน - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) | 1500W (1.5kW) | 1500W (1.5kW) | 1500W (1.5kW) |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 6V | 6V | 6V | 6V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 8.5V | 8.5V | 8.5V | 8.5V |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 120A | - | - | 120A (8/20µs) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5907 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5907 - Microchip Technology
1N5831GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 25A DO41N5908onsemiTVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL1N5832GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
1N5913BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5908RL4GLittelfuse Inc.TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL
1N5833Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5833GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
1N5914RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5908RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5913RLGAMI Semiconductor/onsemi
1N5833Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5913BonsemiDIODE ZENER 3.3V 3W AXIAL1N5908STMicroelectronicsTVS DIODE 5VWM 8.5VC CB4291N5834GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 40A DO51N5834Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO51N5834Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5832Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที