ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR120100CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR120100CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR120100CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR120100 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR120100CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR120100CT | MBR12020CT | MBR12035CT | MBR120150WT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | SMC Diode Solutions |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) | 60A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 60 A | 650 mV @ 120 A | 650 mV @ 120 A | 950 mV @ 60 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | TO-247-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 20 V | 35 V | 150 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | TO-247AD |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 2 mA @ 150 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR120100 | MBR12020 | MBR12035 | MBR120150 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR120100CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR120100CT - GeneSiC Semiconductor
MBR1100SYEASHIN
MBR1100RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR120KEFANMBR12030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12030MOTOROLAIGBT ModuleMBR12020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 120A 2TOWERMBR12020MOTOROLAIGBT ModuleMBR12035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 120A 2TOWERMBR120150WTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247
MBR10U60Micro Commercial Components (MCC)MBR1100RLonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR1100onsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR10U60CTEDAMBR1100GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR12020RMOTOROLAIGBT ModuleMBR1200PANJITMBR120100RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 120A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที