ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR120150WT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ SMC Diode Solutions - MBR120150WT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ SMC Diode Solutions - MBR120150WT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 60A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR120150 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ SMC Diode Solutions MBR120150WT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR120150WT | MBR120100CT | MBR12020CT | MBR12030CT |
| ผู้ผลิต | SMC Diode Solutions | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 60 A | 840 mV @ 60 A | 650 mV @ 120 A | 650 mV @ 60 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 60A | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR120150 | MBR120100 | MBR12020 | MBR12030 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | - | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 100 V | 20 V | 30 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 150 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR120150WT PDF และเอกสาร SMC Diode Solutions สำหรับ MBR120150WT - SMC Diode Solutions
MBR120100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 120A 2TOWERMBR12020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
MBR1100onsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR1200PANJITMBR12020RMOTOROLAIGBT ModuleMBR1100GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR12030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR1100RLonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR12030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 120A 2TOWERMBR12035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 120A 2TOWERMBR1100RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR12030MOTOROLAIGBT ModuleMBR12040MOTOROLAIGBT ModuleMBR1100SYEASHINMBR12020MOTOROLAIGBT ModuleMBR120100RMOTOROLAIGBT ModuleMBR120KEFAN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที