ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR12020CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR12020CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR12020CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 120 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR12020 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR12020CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR12020CT | MBR12035CT | MBR120100CT | MBR120150WT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | SMC Diode Solutions |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 2 mA @ 150 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR12020 | MBR12035 | MBR120100 | MBR120150 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | TO-247AD |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 120 A | 650 mV @ 120 A | 840 mV @ 60 A | 950 mV @ 60 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) | 60A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | TO-247-3 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 35 V | 100 V | 150 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR12020CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR12020CT - GeneSiC Semiconductor
MBR12035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 120A 2TOWERMBR120100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 120A 2TOWERMBR12040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR120KEFANMBR12040MOTOROLAIGBT ModuleMBR120150WTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247MBR12030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 120A 2TOWERMBR12030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR1100SYEASHINMBR12040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
MBR1100RLonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR1100RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR1200PANJITMBR12030MOTOROLAIGBT ModuleMBR12035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12020RMOTOROLAIGBT ModuleMBR120100RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12020MOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที