ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR12045CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR12045CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR12045CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR12045 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR12045CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR12045CT | MBR12035CT | MBR12030CT | MBR12040CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 35 V | 30 V | 40 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 60 A | 650 mV @ 120 A | 650 mV @ 60 A | 650 mV @ 120 A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR12045 | MBR12035 | MBR12030 | MBR12040 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR12045CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR12045CT - GeneSiC Semiconductor
MBR12035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 120A 2TOWERMBR12060MOTOROLAIGBT ModuleMBR12080MOTOROLAIGBT ModuleMBR12090CTIXFNIGBT ModuleMBR12040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12040MOTOROLAIGBT ModuleMBR12030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 120A 2TOWERMBR12040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 120A 2TOWERMBR12035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12050CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR12030MOTOROLAIGBT ModuleMBR12060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 120A 2TOWERMBR12020RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12045RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 120A 2TOWERMBR12080RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12060RMOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที