ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR12040CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR12040CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR12040CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 120 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR12040 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR12040CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR12040CT | MBR12080CT | MBR12045CT | MBR12020CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 80 V | 45 V | 20 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR12040 | MBR12080 | MBR12045 | MBR12020 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 120 A | 840 mV @ 60 A | 650 mV @ 60 A | 650 mV @ 120 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR12040CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR12040CT - GeneSiC Semiconductor
MBR12080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 120A 2TOWERMBR12045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 120A 2TOWERMBR12045RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 120A 2TOWERMBR12040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 120A 2TOWERMBR12030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 120A 2TOWERMBR12080MOTOROLAIGBT ModuleMBR12020MOTOROLAIGBT ModuleMBR12035RMOTOROLAIGBT Module
MBR120150WTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247MBR12080RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12060RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12020RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12040MOTOROLAIGBT ModuleMBR12030MOTOROLAIGBT ModuleMBR12060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 120A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที