ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR12060CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR12060CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR12060CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR12060 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR12060CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR12060CT | MBR12035CT | MBR12080CT | MBR12040CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 60 A | 650 mV @ 120 A | 840 mV @ 60 A | 650 mV @ 120 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR12060 | MBR12035 | MBR12080 | MBR12040 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 35 V | 80 V | 40 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR12060CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR12060CT - GeneSiC Semiconductor
MBR12050CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR12040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 120A 2TOWERMBR12060RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12045RMOTOROLAIGBT Module
MBR120ESFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FLMBR12080RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12090CTIXFNIGBT ModuleMBR120ESFSHIKUESMBR12080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 120A 2TOWERMBR12080MOTOROLAIGBT ModuleMBR12040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 120A 2TOWERMBR12040MOTOROLAIGBT ModuleMBR120ESFT1onsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FLMBR12035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 120A 2TOWERMBR12060MOTOROLAIGBT ModuleMBR120ESFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที