ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20040CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR20040CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR20040CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20040 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR20040CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20040CT | MBR20035CT | MBR20045CT | MBR20030CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 35 V | 45 V | 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20040 | MBR20035 | MBR20045 | MBR20030 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR20040CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR20040CT - GeneSiC Semiconductor
MBR20035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR20025CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20030MOTOROLAIGBT ModuleMBR20035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20045RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20045MOTOROLAIGBT ModuleMBR20060MOTOROLAIGBT ModuleMBR20045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR20050CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR20060RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20040MOTOROLAIGBT ModuleMBR20030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWERMBR20060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR20030CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20050TLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20035MOTOROLAIGBT ModuleMBR20040RMOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที