ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20060CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR20060CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR20060CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20060 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR20060CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20060CT | MBR20080CT | MBR20040CT | MBR20045CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20060 | MBR20080 | MBR20040 | MBR20045 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 100 A | 840 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 80 V | 40 V | 45 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR20060CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR20060CT - GeneSiC Semiconductor
MBR20100ACTJXNDMBR20080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 2TOWERMBR20080MOTOROLAIGBT Module
MBR20100SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 100V TO220ACMBR20040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR20040MOTOROLAIGBT ModuleMBR20045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR20045MOTOROLAIGBT ModuleMBR20060RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20050CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR20050TLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20090CTIXFNIGBT ModuleMBR20040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20100CMOSPETMBR20100/30100DOINGTERMBR20080RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20045RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20060MOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที