ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20045CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR20045CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR20045CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20045 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR20045CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20045CT | MBR20060CT | MBR20080CT | MBR20040CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 60 V | 80 V | 40 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20045 | MBR20060 | MBR20080 | MBR20040 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 100 A | 750 mV @ 100 A | 840 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR20045CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR20045CT - GeneSiC Semiconductor
MBR20030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20035MOTOROLAIGBT ModuleMBR20040MOTOROLAIGBT ModuleMBR20060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR20050CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR20080RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20045MOTOROLAIGBT ModuleMBR20060MOTOROLAIGBT ModuleMBR20080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 2TOWERMBR20040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20045RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20080MOTOROLAIGBT ModuleMBR20090CTIXFNIGBT ModuleMBR20030CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR20035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR20030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที