ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20080CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR20080CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR20080CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR20080CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20080CT | MBR20045CT | MBR20060CT | MBR20080 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | MOTOROLA |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A | 750 mV @ 100 A | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 45 V | 60 V | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20080 | MBR20045 | MBR20060 | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR20080CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR20080CT - GeneSiC Semiconductor
MBR20080MOTOROLAIGBT Module
MBR20100CGLITEONMBR20045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR20100CKMOSPECMBR20040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20045MOTOROLAIGBT ModuleMBR20100CMOSPETMBR20080RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20090CTIXFNIGBT ModuleMBR20100/30100DOINGTERMBR20100CDSHMBR20100ACTJXNDMBR20060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
MBR20100SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 100V TO220ACMBR20060MOTOROLAIGBT ModuleMBR20050CTMOTOROLAIGBT ModuleMBR20045RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20100CLUTC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที