ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRT30045
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBRT30045 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBRT30045
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBRT30045
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRT30045 | MBRT20030 | MBRT30060 | MBRT200200 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 30 V | 60 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | 100A | 150A | 100A |
| ชุด | - | - | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 150 A | 750 mV @ 100 A | 800 mV @ 150 A | 920 mV @ 100 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRT30045 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBRT30045 - GeneSiC Semiconductor
MBRT20030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 100A 3TOWERMBRT30060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 150A 3TOWER
MBRX02520Micro Commercial Components (MCC)MBRT200200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
MBRU10100CTTaiwan SemiconductorMBRT400150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWERMBRT30020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 3TOWERMBRT40045GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 3TOWERMBRT30035GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 150A 3TOWERMBRT300200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWERMBRT30040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 150A 3TOWERMBRT20080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 100A 3TOWERMBRT300100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 150A 3TOWERMBRT300150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWERMBRT30030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 150A 3TOWERMBRT40080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 3TOWERMBRT301200IXFNIGBT ModuleMBRT30090IXFNIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที