ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRT30030
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBRT30030 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBRT30030
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBRT30030
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRT30030 | MBRT400150 | MBRT200150 | MBRT200100 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 150 V | 1 mA @ 150 V | 1 mA @ 20 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | 200A | 100A | 100A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 150 V | 150 V | 100 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 150 A | 880 mV @ 200 A | 880 mV @ 100 A | 880 mV @ 100 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRT30030 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBRT30030 - GeneSiC Semiconductor
MBRT400150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWERMBRT200150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWERMBRT200100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 100A 3TOWERMBRT200200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWERMBRT300150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWERMBRT20080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 100A 3TOWERMBRT30020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 3TOWERMBRT30060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 150A 3TOWERMBRT30040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 150A 3TOWERMBRT30090IXFNIGBT ModuleMBRT40045GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 3TOWERMBRT300200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWERMBRT20030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 100A 3TOWERMBRT30035GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 150A 3TOWERMBRT20020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 100A 3TOWERMBRT30045GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 150A 3TOWERMBRT40080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 3TOWERMBRT300100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 150A 3TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที