ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRT400150
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBRT400150 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBRT400150
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBRT400150
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRT400150 | MBRT30060 | MBRT30035 | MBRT40080 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 150 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | 150A | 150A | 200A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 200 A | 800 mV @ 150 A | 750 mV @ 150 A | 880 mV @ 200 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 60 V | 35 V | 80 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRT400150 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBRT400150 - GeneSiC Semiconductor
MBRT30060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 150A 3TOWER
MBRX02540Micro Commercial Components (MCC)MBRT401200IXFNIGBT ModuleMBRT30035GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 150A 3TOWERMBRX02550Micro Commercial Components (MCC)MBRT40080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 3TOWERMBRT30040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 150A 3TOWERMBRT30045GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 150A 3TOWERMBRX02520Micro Commercial Components (MCC)MBRT30020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 3TOWERMBRT40045GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 3TOWERMBRT30030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 150A 3TOWERMBRT300200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
MBRU10100CTTaiwan SemiconductorMBRX02530Micro Commercial Components (MCC)MBRT30090IXFNIGBT ModuleMBRT301200IXFNIGBT ModuleMBRT40090IXFNIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที