ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURT30020
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MURT30020 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MURT30020
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MURT30020
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURT30020 | MURT30060 | MURT20020 | MURT20060 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns | 200 ns | 75 ns | 160 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 600 V | 200 V | 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | 150A | 100A | 100A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 150 A | 1.7 V @ 150 A | 1.3 V @ 100 A | 1.7 V @ 100 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURT30020 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MURT30020 - GeneSiC Semiconductor
MURT30060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
MURX0530-TPMicro Commercial Components (MCC)MURT200A60IXFNIGBT ModuleMURT300120IXFNIGBT ModuleMURT20020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 100A 3TOWER
MURS480ET3GonsemiDIODE GEN PURP 800V 4A SMC
MURS460Yangjie TechnologySMC 600V 4.0A Diodes RectifierMURT20060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 100A 3TOWERMURS440GOOD-ARKMURT200120DACOIGBT ModuleMURT30040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 150A 3TOWERMURT20040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 100A 3TOWERMURT20060PLIXFNIGBT ModuleMURT20060PLRIXFNIGBT ModuleMURT201120IXFNIGBT Module
MURS460CDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 4A SMC TR 3KMURX0540-TMicro Commercial Components (MCC)MURT300A60IXFNIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที