ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DHG10I1800PA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - DHG10I1800PA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - DHG10I1800PA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.23 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 300 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 3pF @ 900V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DHG10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS DHG10I1800PA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DHG10I1800PA | NSR0170P2T5G | DHG60I1200HA | VS-20ETS12-M3 |
| ผู้ผลิต | IXYS | onsemi | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 300 ns | - | 200 ns | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | SOD-923 | TO-247AD | TO-220AC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1800 V | 70 V | 1200 V | 1200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.23 V @ 10 A | 730 mV @ 15 mA | 2.32 V @ 60 A | 1 V @ 10 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DHG10 | NSR0170 | DHG60 | 20ETS12 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1800 V | 3 µA @ 70 V | 125 µA @ 1200 V | 100 µA @ 1200 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 3pF @ 900V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | SOD-923 | TO-247-2 | TO-220-2 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 70mA | 60A | 20A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DHG10I1800PA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ DHG10I1800PA - IXYS
NSR0170P2T5GonsemiDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD923DHG60I1200HAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247ADVS-20ETS12-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
DHG20C600QBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 10A TO3P
SMD16PL-TPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123FLDHG50X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227B
MMBD4148TS_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD523DHG100X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227B
DHG10C600PBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB
1N3261Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
SD103BW-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 350MA SOD123NTE5879NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 400V 12A DO4DHG30I1200HAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247DHG50X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 50A SOT227BDHG30I600HAIXYSDIODE GEN PURP 600V 30A TO247
SBRS8320T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A SMC
R6000225XXYAPowerex Inc.DIODE GP 200V 250A DO205AB DO9DHG100X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 100A SOT227B| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที