ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DHG20C600QB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - DHG20C600QB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - DHG20C600QB
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.35 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DHG20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS DHG20C600QB
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DHG20C600QB | DHG50X1200NA | DHG50X600NA | MBR1530CT |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 25A | 50A | 15A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | SOT-227B | SOT-227B | TO-220-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 600 V | 30 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 75 ns | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-220-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DHG20 | DHG50 | DHG50 | MBR1530 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 µA @ 600 V | 50 µA @ 1200 V | - | 100 µA @ 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.35 V @ 10 A | 2.12 V @ 25 A | - | 840 mV @ 15 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DHG20C600QB PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ DHG20C600QB - IXYS
DHG30I1200HAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247DHG50X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227BDHG50X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 50A SOT227BMBR1530CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
DSSK80-006BIXYSDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247ADMBR3045PTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-DHG10I1800PAIXYSDIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC
VS-60CPQ150PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247
SBR30150CTFPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 150V 15A ITO220
MBR12030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 120A 2TOWERDHG100X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 100A SOT227B
DHG10C600PBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB
DHG60I1200HAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD
FCHS20A065KYOCERA AVXDIODE SCHOT 65V 20A TO220 FM
SBAS21DW5T1GonsemiDIODE ARRAY GP 250V 200MA SC88ADHG100X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227BDHG30I600HAIXYSDIODE GEN PURP 600V 30A TO247SBR20E100CTDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที