ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DHG60I1200HA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - DHG60I1200HA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - DHG60I1200HA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.32 V @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 125 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DHG60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS DHG60I1200HA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DHG60I1200HA | DHG10I1800PA | SS2PH9-M3/85A | 1N3672 |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | eSMP® | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | TO-220-2 | DO-220AA | DO-203AA, DO-4, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 1800 V | 90 V | 900 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 125 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1800 V | 1 µA @ 90 V | 10 µA @ 900 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns | 300 ns | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Box |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DHG60 | DHG10 | SS2PH9 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.32 V @ 60 A | 2.23 V @ 10 A | 800 mV @ 2 A | 1.2 V @ 30 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 3pF @ 900V, 1MHz | 65pF @ 4V, 1MHz | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | TO-220AC | DO-220AA (SMP) | DO-4 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | 10A | 2A | 22A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DHG60I1200HA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ DHG60I1200HA - IXYS
DHG10I1800PAIXYSDIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220ACSS2PH9-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 90V 2A DO220AADHG50X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 50A SOT227BDHG20C600QBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 10A TO3P1N3672Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO4DHG30I600HAIXYSDIODE GEN PURP 600V 30A TO247DHG30I1200HAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
DHG1000AVS1BAMD
PMEG10020AELPXNexperia USA Inc.DIODE SCHOTT 100V 2A SOD128/CFP5DHG100X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227BDHG50X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227B
1N4947GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALAS1PDHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 200V 1.5A DO220AADHG100X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 100A SOT227B
SBR10U45SP5Q-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI5
STPS1L30ASTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA
BY500-400Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 5A DO201
DHG10C600PBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที