ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MEO450-12DA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - MEO450-12DA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - MEO450-12DA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.96 V @ 520 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M6 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 500 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 24 mA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 453A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MEO450 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS MEO450-12DA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MEO450-12DA | STTH4R02SY | BY550-600 | MEO550-02DA |
| ผู้ผลิต | IXYS | STMicroelectronics | Diotec Semiconductor | IXYS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M6 | SMC | DO-201 | Y4-M6 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.96 V @ 520 A | 1.05 V @ 4 A | 1 V @ 5 A | 1.25 V @ 520 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 24 mA @ 1200 V | 3 µA @ 200 V | 5 µA @ 600 V | 5 mA @ 200 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 175°C | -50°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M6 | DO-214AB, SMC | DO-201AA, DO-27, Axial | Y4-M6 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 500 ns | 30 ns | 1.5 µs | 200 ns |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MEO450 | STTH4 | - | MEO550 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 453A | 4A | 5A | 582A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 200 V | 600 V | 200 V |
| ชุด | - | Q Automotive | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MEO450-12DA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ MEO450-12DA - IXYS
MEO450-120DAIGBTIGBT ModuleMEO550-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleSTTH4R02SYSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 4A SMCMEO450-12DA(K)IXYS / LittelfuseIGBT ModuleBY550-600Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A DO201MEO450-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO550-02DAIXYSDIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6MEO550-12DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-12DA(H)IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO300-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-12DA(G)IXYS / LittelfuseIGBT Module
RF301B2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A CPD
NRVB130LSFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123FL
B0530W-7-GDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123MEO500-06DAIXYSDIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6
SB007-03Q-TL-EonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3MCPMEO500-02DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO500-12DAIXYS / LittelfuseIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที