ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MEO450-12DA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - MEO450-12DA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - MEO450-12DA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.96 V @ 520 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M6 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 500 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 24 mA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 453A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MEO450 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS MEO450-12DA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MEO450-12DA | MSS1P2L-E3/89A | 1N4595 | 1SS388(TL3,F,D) |
| ผู้ผลิต | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M6 | MicroSMP (DO-219AD) | DO-205AA (DO-8) | ESC |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.96 V @ 520 A | 500 mV @ 1 A | 1.1 V @ 200 A | 600 mV @ 50 mA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 24 mA @ 1200 V | 250 µA @ 20 V | 50 µA @ 1200 V | 5 µA @ 10 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 100°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M6 | MicroSMP | DO-205AA, DO-8, Stud | SC-79, SOD-523 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 500 ns | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 18pF @ 0V, 1MHz |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MEO450 | MSS1P2 | - | 1SS388 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 453A | 1A | 150A | 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 20 V | 1200 V | 45 V |
| ชุด | - | eSMP® | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MEO450-12DA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ MEO450-12DA - IXYS
MSS1P2L-E3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP1N4595Microchip TechnologyDIODE GP 1.2KV 150A DO205AA1SS388(TL3,F,D)Toshiba Semiconductor and StorageDIODE SCHOTTKY 45V 100MA ESCUFR7015RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO5
MEO300-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-12DA(G)IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO550-12DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO500-02DAIXYS / LittelfuseIGBT Module
CSFMT108-HFComchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123HSR3200Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201ADMEO500-12DAIXYS / LittelfuseIGBT Module
FERD20U50DJF-TRSTMicroelectronicsDIODE FERD 50V 20A POWERFLATMEO450-12DA(H)IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO500-06DAIXYSDIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6MEO450-120DAIGBTIGBT ModuleMEO550-02DAIXYSDIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6
VS-30BQ015PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 15V 3A DO214AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที