ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MEO500-06DA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - MEO500-06DA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - MEO500-06DA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.52 V @ 520 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M6 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 300 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 24 mA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 514A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MEO500 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS MEO500-06DA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MEO500-06DA | BAQ35-GS08 | FES16HT | MEO550-02DA |
| ผู้ผลิต | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | IXYS |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M6 | SOD-80 MiniMELF | TO-220-2 | Y4-M6 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 3pF @ 0V, 1MHz | 145pF @ 4V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.52 V @ 520 A | 1 V @ 100 mA | 1.5 V @ 8 A | 1.25 V @ 520 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 24 mA @ 600 V | 1 nA @ 60 V | 10 µA @ 500 V | 5 mA @ 200 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MEO500 | BAQ35 | FES16 | MEO550 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 514A | 200mA | 16A | 582A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 300 ns | - | 50 ns | 200 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | 175°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 140 V | 500 V | 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M6 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TO-220-2 | Y4-M6 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | Through Hole | Chassis Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MEO500-06DA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ MEO500-06DA - IXYS
BAQ35-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 140V 200MA SOD80MEO300-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleFES16HTonsemiDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2MEO450-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO500-12DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-12DA(G)IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO550-02DAIXYSDIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6MEO450-12DAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6
1N3649RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AAMEO550-12DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleR4250Microchip TechnologyDIODE GP REV 500V 125A DO205AA
MA2J1160GLPanasonic Electronic ComponentsDIODE GP 40V 100MA SMINI2-F3MEO500-02DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-12DA(H)IXYS / LittelfuseIGBT Module
ES3CB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 3A SMB
RB550VA-30TRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2MEO450-120DAIGBTIGBT ModuleSK1010CMDDDIODE SCHOTTKY 100V 10A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที