ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MEO550-02DA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - MEO550-02DA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - MEO550-02DA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 520 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M6 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 582A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MEO550 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS MEO550-02DA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MEO550-02DA | 1N3271R | SK34-7 | SS3P4HM3/84A |
| ผู้ผลิต | IXYS | Solid State Inc. | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 800 V | 40 V | 40 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 200 V | 75 µA @ 800 V | 500 µA @ 40 V | 150 µA @ 40 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 300pF @ 4V, 1MHz | 130pF @ 4V, 1MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 520 A | 1.3 V @ 300 A | 500 mV @ 3 A | 600 mV @ 3 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M6 | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-214AB, SMC | DO-220AA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MEO550 | - | SK34 | SS3P4 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M6 | DO-9 | SMC | DO-220AA (SMP) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 582A | 275A | 3A | 3A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MEO550-02DA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ MEO550-02DA - IXYS
1N3271RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 275A DO9SK34-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
MEO550-12DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleSS3P4HM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO220AAMEO450-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO550-06DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO500-06DAIXYSDIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6
10MQ040NTRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO214ACMEO450-12DA(G)IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-12DAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6MEO500-02DAIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-120DAIGBTIGBT Module
1N3288Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO8MEO450-12DA(K)IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO450-12DA(H)IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMEO500-12DAIXYS / LittelfuseIGBT Module
RB162M-60TRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDUMEO300-06DAIXYS / LittelfuseIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที