ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MII75-12A3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - MII75-12A3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - MII75-12A3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 50A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M5 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 370 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M5 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.3 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 4 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 90 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MII75 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS MII75-12A3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MII75-12A3 | MII300-12E4 | MII150-12A4 | A2P75S12M3 |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | STMicroelectronics |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MII75 | MII | MII150 | A2P75 |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | NPT | Trench Field Stop |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 370 W | 1100 W | 760 W | 454.5 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Y4-M5 | Y3-Li | Y3-DCB | Module |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge | Three Phase Inverter |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 4 mA | 3.3 mA | 7.5 mA | 100 µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Y4-M5 | Y3-Li | Y3-DCB | ACEPACK™ 2 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 50A | 2.8V @ 15V, 200A | 2.7V @ 15V, 100A | 2.3V @ 15V, 75A |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.3 nF @ 25 V | 11 nF @ 25 V | 6.6 nF @ 25 V | 4.7 nF @ 25 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 90 A | 280 A | 180 A | 75 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Box | Tray |
| ชุด | - | - | - | - |
| กทช Thermistor | No | No | No | Yes |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MII75-12A3 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ MII75-12A3 - IXYS
MII400-12A4IXYS / LittelfuseIGBT ModuleMII300-12E4IXYSIGBT MOD 1200V 280A 1100W Y3LIMII145-123AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMII150-12A4IXYSIGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCBA2P75S12M3STMicroelectronicsIGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2
BSM200GA120DN2FSInfineon TechnologiesIGBT MODULE
CM300DY-12NFPowerex Inc.IGBT MOD 600V 300A 780WMWI35-12A7IXYSIGBT MODULE 1200V 62A 280W E2
APT50GT120JU3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227MII200-12A4IXYSIGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCBF4-50R12MS4Infineon TechnologiesIGBT, 70A, 1200V, N-CHANNELMIIK431MII300-12A4IXYSIGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCBMII400-12E4IXYSIGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LIMII100-12A3IXYSIGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5APT30GF60JU2Microchip TechnologyIGBT MODULE 600V 58A 192W SOT227APT200GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 195A 500W SOT227MII145-12A3IXYSIGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที