ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IMN10FHT108
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - IMN10FHT108 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - IMN10FHT108
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMT6 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 3 Independent | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IMN10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor IMN10FHT108
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IMN10FHT108 | BAV70HDWQ-13 | APT2X100D40J | BAV170-7-F |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated | Microchip Technology | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | 500 nA @ 80 V | 500 µA @ 400 V | 5 nA @ 75 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Chassis Mount | Surface Mount |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMT6 | SOT-363 | ISOTOP® | SOT-23-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IMN10 | BAV70 | APT2X100 | BAV170 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 100 V | 400 V | 85 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 50 ns | 3 µs |
| การกำหนดค่าไดโอด | 3 Independent | 2 Pair Common Cathode | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 125mA | 100A | 125mA (DC) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1 V @ 50 mA | 1.5 V @ 100 A | 1.1 V @ 50 mA |
BAV70HDWQ-13Diodes IncorporatedDIODE FS 100V 125MA SOT363
IMN10 GJ T108LAPIS TechnologyIMN10T109LAPIS TechnologyAPT2X100D40JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 400V 100A ISOTOPIMN10 T108LAPIS TechnologyIMN10-T109LAPIS TechnologyIMN11 T110LAPIS TechnologyBAV170-7-FDiodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT23-3
STPS640CBSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAKIMN10FT108LAPIS TechnologyIMN11T110Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMDIMN10GT108LAPIS TechnologyIMN10-T108LAPIS TechnologyIMN10ALAPIS Technology
MBRB10150CTDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 10A D2PAK
BAS70-05WFILMSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT323IMN10T108Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMDIMN11T100LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที