ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IMN11T110
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - IMN11T110 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - IMN11T110
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMT6 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IMN11 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor IMN11T110
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IMN11T110 | IMN10T108 | IMN10FHT108 | BAV99_R1_00001 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Panjit International Inc. |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | 100 nA @ 70 V | 100 nA @ 70 V | 2.5 µA @ 75 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Pair Common Cathode | 3 Independent | 3 Independent | 1 Pair Series Connection |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMT6 | SMT6 | SMT6 | SOT-23 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 80 V | 75 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IMN11 | IMN10 | IMN10 | BAV99 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 100mA | 100mA | 150mA |
IMN10 GJ T108LAPIS TechnologyIMN10FT108LAPIS TechnologyIMN10 T108LAPIS TechnologyIMN11T100LAPIS TechnologyIMN10T108Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMDIMN10FHT108Rohm SemiconductorSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TOBAV99_R1_00001Panjit International Inc.SOT-23, SWITCHING
BAT54SLT1GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3IMN11 T110LAPIS TechnologyIMN10-T109LAPIS Technology
BAW101S,115Nexperia USA Inc.DIODE ARRAY GP 300V 250MA 6TSSOP
STPS40L45CGSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAKIMN10T109LAPIS Technology
VS-42CTQ030STRL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 20A D2PAKIMN10ALAPIS Technology
MBRD640CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAKIMN10GT108LAPIS TechnologyIMN10-T108LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที