ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IMN10T108
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - IMN10T108 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - IMN10T108
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMT6 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 3 Independent | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IMN10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor IMN10T108
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IMN10T108 | NRVBD1035CTLT4G | IMN10FHT108 | MBRF2045CT |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | onsemi | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | 2 mA @ 35 V | 100 nA @ 70 V | 100 µA @ 60 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | - | 4 ns | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 5A | 100mA | 10A |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SC-74, SOT-457 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 35 V | 80 V | 60 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| การกำหนดค่าไดโอด | 3 Independent | 1 Pair Common Cathode | 3 Independent | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Schottky |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IMN10 | NRVBD1035 | IMN10 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 470 mV @ 5 A | 1.2 V @ 100 mA | 640 mV @ 10 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMT6 | DPAK | SMT6 | ITO-220AB |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IMN10T108 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ IMN10T108 - Rohm Semiconductor
NRVBD1035CTLT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK
IMN11 T110LAPIS TechnologyIMN10-T109LAPIS TechnologyIMN10FHT108Rohm SemiconductorSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TOIMN10T109LAPIS TechnologyIMN10-T108LAPIS TechnologyMBRF2045CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY 45V 10A ITO220ABIMN10 T108LAPIS TechnologyIMN10ALAPIS TechnologyIMN11T100LAPIS Technology
MBRB15H60CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO263AB
MURHB860CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAKIMN11T110Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
DSEC16-12AIXYSDIODE ARRAY GP 1200V 10A TO220AB
16CTQ080Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO220ABIMN10FT108LAPIS TechnologyIMN10GT108LAPIS TechnologyIMN10 GJ T108LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที