ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS220AE2C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS220AE2C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS220AE2C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS220 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS220AE2C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS220AE2C | SCS220AE2CZ | SCS220AEC | SCS215AJHRTLL |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | LAPIS Technology | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 10 A | - | 1.55 V @ 20 A | 1.55 V @ 15 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | - | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 600 V | - | 400 µA @ 600 V | 300 µA @ 600 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | - | - | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | - | 650 V | 650 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | - | 0 ns | 0 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | - | TO-247 | TO-263AB |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | Tube | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | - | TO-247-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A (DC) | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS220 | - | SCS220 | SCS215 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS220AE2C PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS220AE2C - Rohm Semiconductor
SCS220AE2CZLAPIS TechnologySCS220AECRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247SCS215AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO263ABSCS220AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO263ABSCS220AGHRLAPIS TechnologySCS215AJLAPIS TechnologySCS215KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220ACSCS220AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO263ABSCS215AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACSCS215AECRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247SCS220AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACSCS215AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220FMSCS220AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACSCS217K-LFCJSCS220AG CLAPIS TechnologySCS220AMLAPIS TechnologySCS215AGCRohm SemiconductorDIODE SIC 650V 15A TO220ACFPSCS220AE2LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที