ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS220AGC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS220AGC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS220AGC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 400 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 730pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS220 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS220AGC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS220AGC | SCS215AMC | SCS220AEC | SCS215KGC |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 400 µA @ 600 V | 240 µA @ 600 V | 400 µA @ 600 V | 300 µA @ 1200 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS220 | SCS215 | SCS220 | SCS215 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220FM | TO-247 | TO-220AC |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 730pF @ 1V, 1MHz | 438pF @ 1V, 1MHz | 730pF @ 1V, 1MHz | 790pF @ 1V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 1200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 12A | 20A | 15A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 20 A | 1.55 V @ 12 A | 1.55 V @ 20 A | 1.6 V @ 15 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-247-3 | TO-220-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS220AGC PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS220AGC - Rohm Semiconductor
SCS215AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220FMSCS220AECRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247SCS215KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220ACSCS220AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
SCS220AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO263ABSCS220AE2CZLAPIS TechnologySCS220AE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS220AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO263ABSCS215AJLAPIS TechnologySCS220AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACSCS220AE2LAPIS TechnologySCS220KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220ACSCS220KE2LAPIS TechnologySCS215AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO263ABSCS220KE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247SCS220KE2HRCRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS220AGHRLAPIS TechnologySCS217K-LFCJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที