ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS215AEC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS215AEC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS215AEC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 550pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS215 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS215AEC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS215AEC | SCS212AGC | SCS215KGC | SCS210KGC |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 550pF @ 1V, 1MHz | 438pF @ 1V, 1MHz | 790pF @ 1V, 1MHz | 550pF @ 1V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 600 V | 240 µA @ 600 V | 300 µA @ 1200 V | 200 µA @ 1200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-220AC | TO-220AC | TO-220AC |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 12A | 15A | 10A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS215 | SCS212 | SCS215 | SCS210 |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 15 A | 1.55 V @ 12 A | 1.6 V @ 15 A | 1.6 V @ 10 A |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 1200 V | 1200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCS215AEC PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SCS215AEC - Rohm Semiconductor
SCS212AMLAPIS TechnologySCS212AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSCS212AWLAPIS TechnologySCS215KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220ACSCS210KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
SCS215AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO263ABSCS217K-LFCJSCS220AE2LAPIS TechnologySCS215AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACSCS210KGC17Rohm SemiconductorDIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS212AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS212AGLAPIS TechnologySCS212AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220FMSCS212AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSCS215AGCRohm SemiconductorDIODE SIC 650V 15A TO220ACFPSCS215AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220FMSCS220AE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที