ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS310AMC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS310AMC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS310AMC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FM | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 650 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 500pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS310 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS310AMC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS310AMC | SCS320AMC | SCS302AHGC9 | SCS310AHGC9 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 20A | 2.15A | 10A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 10 A | 1.5 V @ 20 A | 1.5 V @ 2 A | 1.5 V @ 10 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 650 V | 100 µA @ 650 V | 10.8 µA @ 650 V | 50 µA @ 650 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FM | TO-220FM | TO-220ACP | TO-220ACP |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 500pF @ 1V, 1MHz | 1000pF @ 1V, 1MHz | 110pF @ 1V, 1MHz | 500pF @ 1V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS310 | SCS320 | SCS302 | SCS310 |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
SCS320AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220FMSCS240PSECOSSCS302AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS240P-CSECOSSCS310AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS304AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACPSCS320AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACPSCS320AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTLSCS312AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACPSCS308AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACPSCS315AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220FMSCS355VSECOSSCS411D-TGWILLASSCS315AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACPSCS38157FD01R2MOTOROLASCS306AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACPSCS306AWLAPIS TechnologySCS308APC9Rohm SemiconductorDIODE SILICON CARBIDE 650V 8A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที