ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS320AMC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS320AMC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS320AMC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FM | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 650 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 1000pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS320 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS320AMC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS320AMC | SCS312AHGC9 | SCS320AJTLL | SCS310AHGC9 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FM | TO-220ACP | LPTL | TO-220ACP |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 650 V | 60 µA @ 650 V | 100 µA @ 650 V | 50 µA @ 650 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 20 A | - | 1.5 V @ 20 A | 1.5 V @ 10 A |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS320 | SCS312 | SCS320 | SCS310 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 12A | 20A | 10A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 1000pF @ 1V, 1MHz | 600pF @ 1V, 1MHz | 1000pF @ 1V, 1MHz | 500pF @ 1V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
SCS411D-TGWILLASSCS490D-TGWILLASSCS312AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACPSCS320AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTLSCS310AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS38157FD01R2MOTOROLASCS315AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACPSCS495DSECOSSCS315AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220FMSCS491DSCS4805S2IPDIGBT ModuleSCS308AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACPSCS501V-40SECOSSCS306AWLAPIS TechnologySCS355VSECOSSCS310AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMSCS320AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACPSCS308APC9Rohm SemiconductorDIODE SILICON CARBIDE 650V 8A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที