ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS315AHGC9
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS315AHGC9 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS315AHGC9
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ACP | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 650 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 750pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS315 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS315AHGC9
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS315AHGC9 | SCS320AMC | SCS310AHGC9 | SCS308APC9 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 650 V | 100 µA @ 650 V | 50 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 20A | 10A | 8A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 750pF @ 1V, 1MHz | 1000pF @ 1V, 1MHz | 500pF @ 1V, 1MHz | 400pF @ 1V, 1MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ACP | TO-220FM | TO-220ACP | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCS315 | SCS320 | SCS310 | SCS308 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
SCS4805S1MSIPDIGBT ModuleSCS320AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220FMSCS310AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS4805S1IPDIGBT ModuleSCS308APC9Rohm SemiconductorDIODE SILICON CARBIDE 650V 8ASCS315AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220FMSCS320AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACPSCS411D-TGWILLASSCS312AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACPSCS302AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS306AWLAPIS TechnologySCS306AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACPSCS304AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACPSCS310AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMSCS355VSECOSSCS320AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTLSCS38157FD01R2MOTOROLASCS308AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที