ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3595
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3595 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3595
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 125 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 3 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 nA @ 125 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3595
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3595 | 1N3600 | 1N3600 | 1N3615 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 125 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 nA @ 125 V | 100 nA @ 50 V | 100 nA @ 50 V | 10 µA @ 50 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 200mA | 16A |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bag | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-35 | DO-35 | DO-4 (DO-203AA) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 3 µs | 4 ns | 4 ns | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 200 mA | 1 V @ 200 mA | 1 V @ 200 mA | 1 V @ 30 A |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3595 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3595 - Microchip Technology
1N3573MOTOROLAIGBT Module1N3600NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N3595-1JANTXMOTO1N3600Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N3615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 16A DO4
1N3615Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 16A DO4
1N3595Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N3616RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
1N3595Solid State Inc.DIODE 400V 35A DO211N3572MOTOROLAIGBT Module1N3595-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 125V 150MA DO351N3616RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3616Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3571MOTOROLAIGBT Module1N3616Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
1N3595onsemiDIODE GEN PURP 150V 200MA DO351N3574MOTOROLAIGBT Module1N3495RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 400V 35A DO21| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที