ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3595-1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3595-1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3595-1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 125 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 3 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 nA @ 125 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3595 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3595-1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3595-1 | 1N3616R | 1N3595 | 1N3600 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 3 µs | - | - | 4 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3595 | - | - | 1N3600 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 nA @ 125 V | 2.5 µA @ 100 V | - | 100 nA @ 50 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150mA | 16A | - | 200mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 50 A | - | 1 V @ 200 mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | - | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | - | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-4 | - | DO-35 |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 125 V | 100 V | 400 V | 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3595-1 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3595-1 - Microchip Technology
1N3616RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3595Solid State Inc.DIODE 400V 35A DO211N3600Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N3617Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 16A DO41N3573MOTOROLAIGBT Module
1N3595Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N3600NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N3595Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 125V 200MA AXIAL1N3616RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3616Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3572MOTOROLAIGBT Module
1N3595onsemiDIODE GEN PURP 150V 200MA DO351N3571MOTOROLAIGBT Module1N3595-1JANTXMOTO1N3574MOTOROLAIGBT Module1N3616Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 16A DO41N3615Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 16A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที