ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3616
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3616 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3616
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3616
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3616 | 1N3595 | 1N3618R | 1N3600 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | onsemi | Solid State Inc. | NTE Electronics, Inc |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-35 | DO-4 | DO-35 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 30 A | 1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 50 A | 1 V @ 200 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Through Hole | Stud Mount | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 8pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 200mA | 16A | 200mA |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bag |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 150 V | 200 V | 50 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | 175°C (Max) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 1 nA @ 125 V | 2 µA @ 200 V | 100 nA @ 50 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3616 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3616 - Microchip Technology
1N3595onsemiDIODE GEN PURP 150V 200MA DO351N3618RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 16A DO41N3600NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N3616RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3618Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 16A DO41N3616Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3617Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 16A DO41N3618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 16A DO4
1N3595Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N3600Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N3619RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 16A DO41N3595-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 125V 150MA DO351N3617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 16A DO41N3615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 16A DO41N3619Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 16A DO41N3595Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 125V 200MA AXIAL1N3615Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 16A DO41N3616RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที