ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3616R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3616R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3616R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2.5 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3616R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3616R | 1N3616 | 1N3617 | 1N3618 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 50 A | 1.2 V @ 50 A | 1.2 V @ 50 A | 1 V @ 30 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2.5 µA @ 100 V | 2.5 µA @ 100 V | 2.25 µA @ 150 V | 10 µA @ 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 16A | 16A | 16A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 150 V | 200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3616R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3616R - Microchip Technology
1N3616Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3595-1JANTXMOTO1N3617Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 16A DO41N3618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 16A DO41N3600Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N3620Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 16A DO41N3618Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 16A DO41N3616RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3619Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 16A DO41N3615Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 16A DO41N3616Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 16A DO41N3595-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 125V 150MA DO351N3615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 16A DO41N3600NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N3619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 25A DO41N3618RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 16A DO41N3617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 16A DO41N3619RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 16A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที