ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3661R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3661R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3661R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-21 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-208AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Press Fit | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3661R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3661R | 1N3659 | 1N3650 | 1N3670 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-208AA | DO-208AA | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Press Fit | Press Fit | Stud Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-21 | DO-21 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | - | -65°C ~ 200°C |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 35 A | 1.1 V @ 35 A | 2.2 V @ 10 A | 1.2 V @ 30 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 50 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 700 V |
| ชุด | - | - | Military, MIL-PRF-19500/260 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 50 V | 1000 V | 700 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 3.3A | 22A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3661R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3661R - Microchip Technology
1N3659Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3650Microchip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3670Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3650RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 3.3A DO41N3662RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO211N3664RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 500V 35A DO211N3665Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 35A DO211N3670AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3660RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3659RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 35A DO211N3650RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3650Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 3.3A DO41N3664Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 35A DO211N3661Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3670Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3665RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO211N3660Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3662Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 35A DO21| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที