ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3650
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3650 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3650
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/260 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3.3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3650
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3650 | 1N3660 | 1N3624R | 1N3624 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/260 | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-208AA | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 100 V | 600 µA @ 1000 V | 600 µA @ 1000 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3.3A | 35A | 16A | 16A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 10 A | 1.1 V @ 35 A | 1.2 V @ 50 A | 1.2 V @ 50 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | - | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Press Fit | Stud Mount | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 100 V | 1000 V | 1000 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | DO-21 | DO-4 | DO-4 |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3650 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3650 - Microchip Technology
1N3660Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3624RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3624Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3661RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO211N3650RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 3.3A DO41N3649Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO41N3650RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3624Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3649RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3659RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 35A DO211N3650Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 3.3A DO41N3649RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 3.3A DO41N3649Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3659Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3660RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3661Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3623RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3624RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 25A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที