ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3660
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3660 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3660
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-21 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-208AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Press Fit | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3660
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3660 | 1N3660R | 1N3659R | 1N3662 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-21 | DO-21 | DO-21 | DO-21 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-208AA | DO-208AA | DO-208AA | DO-208AA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 300 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 35A | 35A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 50 V | 300 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 35 A | 1.1 V @ 35 A | 1.1 V @ 35 A | 1.1 V @ 35 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Press Fit | Press Fit | Press Fit | Press Fit |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3660 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3660 - Microchip Technology
1N3660RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3659RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 35A DO211N3662Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 35A DO21
1N3650RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 3.3A DO41N3664RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 500V 35A DO211N3661RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO211N3662RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO211N3649RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 3.3A DO41N3659Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3664Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 35A DO211N3665Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 35A DO211N3650RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3650Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 3.3A DO41N3661Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3665RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO211N3649Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3649RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3650Microchip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที