ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4437FS
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N4437FS คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N4437FS
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 400 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 10 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N4437FS
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4437FS | 1N4437FT | 1N4436FS | 1N4436FT |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | - | 10 µA @ 200 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10 A | 10 A | - | 10 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Stud | Module | - | Press Fit |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | - | 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 10 A | 1.2 V @ 10 A | - | 1.2 V @ 10 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 160°C (TA) | - | -65°C ~ 160°C |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | - | Single Phase |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | - | Chassis Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | Module | - | Press Fit |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4437FS PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N4437FS - Microchip Technology
1N4446Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4247Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N4446TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4437FTMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4247NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4446onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N415TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4436FSMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4249NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N4446Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4248-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N4436FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4438FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4438FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4446NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4249Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที