ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5711-1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5711-1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5711-1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 15 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 70 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 nA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 33mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5711 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5711-1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5711-1 | 1N5712 | 1N5711 | 1N5711UR-1 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | Military, MIL-PRF-19500/444 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 nA @ 50 V | 150 nA @ 16 V | 200 nA @ 50 V | 200 nA @ 50 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 15 mA | 1 V @ 35 mA | 1 V @ 15 mA | 1 V @ 15 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 70 V | 20 V | 70 V | 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-213AA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) | DO-213AA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5711 | 1N5712 | - | 1N5711 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 33mA | 75mA | 33mA | 33mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5711-1 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5711-1 - Microchip Technology
1N5712Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO351N5767Microchip TechnologySI PIN HEMETIC GLASS
1N5712Broadcom LimitedRF DIODE SCHOTTKY 20V 250MW
1N5711NTE Electronics, IncD-SCHOTTKY 70V
1N5711WS-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 150MW SOD323
1N5711STMicroelectronicsRF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35
1N5665AMicrochip TechnologyTVS DIODE 171VWM 274VC DO13
1N5665ASolid State Inc.TVS DIODE D0-131N5711Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO351N5664ASolid State Inc.TVS DIODE D0-131N5711UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA1N5664AMicrochip TechnologyTVS DIODE 154VWM 246VC DO13
1N5711W-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD1231N5663ASolid State Inc.TVS DIODE D0-131N5663AMicrochip TechnologyTVS DIODE 145VWM 234VC DO131N5767Broadcom LimitedRF DIODE PIN 100V 250MW1N5711Broadcom LimitedRF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW
1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที