ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5767
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5767 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5767
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 100V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ชุด | 1N5767 | |
| ต้านทาน @ ถ้า F | 2.5Ohm @ 100mA, 100MHz | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 400 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทไดโอด | PIN - Single | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 0.4pF @ 100V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5767
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5767 | 1N5711 | 1N5767 | 1N5711W-7-F |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Broadcom Limited | Broadcom Limited | Diodes Incorporated |
| ประเภทไดโอด | PIN - Single | Schottky - Single | PIN - Single | Schottky - Single |
| ชุด | 1N5767 | - | - | - |
| ต้านทาน @ ถ้า F | 2.5Ohm @ 100mA, 100MHz | - | 2.5Ohm @ 100mA, 100MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 100V | 70V | 100V | 70V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 400 mW | 250 mW | 250 mW | 333 mW |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 0.4pF @ 100V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 0.4pF @ 50V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | - | - | SOD-123 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | SOD-123 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 125°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5767 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5767 - Microchip Technology
1N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5711Broadcom LimitedRF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW1N5767Broadcom LimitedRF DIODE PIN 100V 250MW1N5811Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A1N5711W-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD1231N5712Broadcom LimitedRF DIODE SCHOTTKY 20V 250MW
1N5807USJTX/TRMicrosemi1N5711-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
1N5711UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA
1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5806E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL
1N5811Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL1N5806Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204AP1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF1N5712Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35
1N5711WS-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 150MW SOD323
1N5812Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 20A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที