ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5712
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5712 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5712
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 35 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 150 nA @ 16 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 75mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5712 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5712
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5712 | 1N5806 | 1N5711UR-1 | 1N5711-1 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | A, Axial | DO-213AA | DO-35 (DO-204AH) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Schottky | Schottky |
| ชุด | - | - | Military, MIL-PRF-19500/444 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 150 V | 50 V | 70 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 75mA | 1A | 33mA | 33mA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | 25pF @ 10V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5712 | - | 1N5711 | 1N5711 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 35 mA | 875 mV @ 1 A | 1 V @ 15 mA | 1 V @ 15 mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | A, Axial | DO-213AA | DO-204AH, DO-35, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 150 nA @ 16 V | 1 µA @ 150 V | 200 nA @ 50 V | 200 nA @ 50 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5712 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5712 - Microchip Technology
1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL
1N5711Broadcom LimitedRF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW
1N5711NTE Electronics, IncD-SCHOTTKY 70V1N5767Microchip TechnologySI PIN HEMETIC GLASS1N5711UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA1N5711-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO351N5711Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
1N5711W-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD1231N5767Broadcom LimitedRF DIODE PIN 100V 250MW1N5806Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204AP1N5712Broadcom LimitedRF DIODE SCHOTTKY 20V 250MW1N5806E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL
1N5711STMicroelectronicsRF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35
1N5807USJTX/TRMicrosemi
1N5711WS-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 150MW SOD3231N5811Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
1N5811Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL
1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที