ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5821
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5821 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5821
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | B, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5821
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5821 | 1N5820-E3/73 | 1N5821-E3/54 | 1N5821RLG |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, Axial | DO-201AD | DO-201AD | Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 30 V | 2 mA @ 20 V | 2 mA @ 30 V | 2 mA @ 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 3 A | 475 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | B, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5821 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5821 - Microchip Technology
1N5820-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5821-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL
1N5821RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
1N5822Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5821NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5820RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
1N5821Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
1N5820-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL1N5821STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
1N5821Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO2011N5820-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL
1N5821onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5822STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5820RLonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL1N5821Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 30V 3A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที