ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5821RL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N5821RL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N5821RL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5821 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N5821RL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5821RL | 1N5822 | 1N5822 | 1N5821 |
| ผู้ผลิต | onsemi | NTE Electronics, Inc | STMicroelectronics | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | B, Axial |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 30 V | 500 µA @ 40 V | 2 mA @ 40 V | 100 µA @ 30 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | 150°C (Max) | -65°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-201AD | DO-201AD | B, Axial |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5821 | - | 1N5822 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 40 V | 40 V | 30 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bag | Cut Tape (CT) | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 190pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5821RL PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N5821RL - onsemi
1N5822NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5821Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 3A B AXIAL
1N5821Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5822Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL
1N5821RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL1N5820RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL1N5822Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5821Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201
1N5822onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5821RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 30V 3A1N5822Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5822Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 40V 3A1N5821onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที